AO3407(MOS场效应管规格书)

台湾原厂,质量保证

AO3407

SOT-23場效應晶體管(SOT-23FieldEffect

Transistors)

http://doc.guandang.net

P-ChannelEnhancement-ModeMOSFETsP沟道增强型MOS场效应管

■MAXIMUM

RATINGS最大額定值

Symbol符號BVDSSVGSIDIDMPDTJTstg

Max最大值-30-4.1-161400150-55to+150

Unit單位VVAAmW℃℃

Characteristic

特性參數

Drain-SourceVoltage漏極-源極電壓Gate-SourceVoltage栅極-源極電壓

DrainCurrent(continuous)漏極電流-連續DrainCurrent(pulsed)漏極電流-脉冲

TotalDeviceDissipation總耗散功率

TA=25℃環境溫度爲25℃Junction結溫

StorageTemperature儲存溫度

台湾原厂,质量保证

AO3407

■ELECTRICALCHARACTERISTICS電特性

Symbol符號BVDSSVGS(th)VSD

Min最小值-30-1—

Typ典型值———

Max最大值—-2.5-1

Unit單位VVV

(TA=25℃unlessotherwisenoted如無特殊說明，溫度爲25℃

)

Characteristic特性參數

Drain-SourceBreakdownVoltage

漏極-源極擊穿電壓(ID=-250uA,VGS=0V)GateThresholdVoltage

栅極開启電壓(ID=-250uA,VGS=VDS)DiodeForwardVoltageDrop

内附二極管正向壓降(IS=-1A,VGS=0V)ZeroGateVoltageDrainCurrent

零栅壓漏極電流(VGS=0V,VDS=-24V)(VGS=0V,VDS=-24V,TA=55℃)GateBodyLeakage

栅極漏電流(VGSVDS=0V)StaticDrain-SourceOn-StateResistance静态漏源導通電阻(ID=-4.1A,VGS=-10V)StaticDrain-SourceOn-StateResistance静态漏源導通電阻(ID=-2A,VGS=-4.5V)InputCapacitance輸入電容(VGS=0V,VDS=-15V,f=1MHz)OutputCapacitance輸出電容(VGS=0V,VDS=-15V,f=1MHz)Turn-ONTime开启時間

(VDS=-15V,VGS=-10V,RGEN=6Ω)Turn-OFFTime关断時間

(VDS=-15V,VGS=-10V,RGEN=6Ω)Pulseμs;DutyIDSS——

-1-5uA

IGSSRDS(ON)

——nA

—5565

mΩ

RDS(ON)CISSCOSSt(on)t(off)

————

75260376

95———

mΩ

pFpFns

—20—ns

http://doc.guandang.net