真空镀膜机构成
JN-CLD 系列真空磁控溅射镀膜机型号及技术参数
性能 型号 JN-CLD-700 JN-CLD-900
JN-CLD-1000
JN-CLD-1250
JN-CLD-1400
JN-CLD-1600
镀膜室尺寸 电源类型 真空室结构 真空室材质 极限真空 抽气时间 (空载) 真空获得系 统 镀膜方式 制膜种类 磁控靶类型 磁控电源功 率及磁控靶 数量 偏压电源 工件转架 转动方式
Ф700×H900 Ф900×H1100m Ф1000×H1200 Ф1250×H1350 Ф1400×H1600 Ф1600×H1800m mm m mm mm mm m
灯丝电源、脉冲偏压电源、直流磁控电源、中频磁控电源、射频磁控电源、线性离化源 立式双开门、立式前开门结构、后置抽气系统 优质不锈钢材质腔体 6.0×10 Pa 从大气抽至8.0×10 Pa≤15分钟-3 -4
扩散泵或分子泵+罗茨泵+机械泵+维持泵(具体型号可根据客户的要求进行配置) 磁控溅射镀膜 金属膜、反应膜、化合物膜、多层膜、半导体膜 矩形磁控靶、圆柱形磁控靶、孪生磁控对靶
根据不同镀膜工艺和客户的需求进行选配
10KW/1台
20KW/1台
20KW/1台
30KW/1台
40KW/1台
50KW/1台
行星式公自转、变频调速(可控可调)
工艺气体 冷却方式 控制方式 整机总功率 30KW
3路或4路工艺气体流量控制及显示系统 选配自动加气系统 水循环冷却方式,另需配冷却水塔或工业冷水机或深冷系统。 (客户提供) 手动/自动一体化方式、触摸屏操作、PLC 或计算机控制 35KW 40KW 50KW 65KW 80KW
报警及保护 对泵和靶等缺水、过流过压、断路等异常情况进行报警,并执行相应保护措施及电气联锁功能。 设备占地面 积 其他技术参 W2m×L3m W2.5m×L3.5m W3m×L4m W4m×L5m W4.5m×L6m W5m×L7m
水压≥0.2MPa、水温≤25℃、气压0.5-0.8MPa
ZZ-560型射频磁控溅射真空镀膜设备
一、 用途及特点
1. 为单室立式结构的高真空多功能真空镀膜设备,射频磁控溅射真空镀膜、直流磁控溅射真空镀膜的组合,既能满足各类膜层的实验研究,又能减少射频辐射的机会,当溅射金属材料时,可采用直流磁控溅射真空镀膜;当溅射非金属材料时,可采用射频磁控溅射真空镀膜.
2. 可真空镀膜膜层:金属单质膜(如Al、Ni)、合金膜、氮化物膜、碳化物膜、氧化物膜、其它非金属化合物膜.
二、 主要技术指标和外部设施要求
(一) 技术指标:
1. 真空镀膜室型式: 立式圆筒形、间歇工作 2. 真空镀膜室尺寸: φ600×400 3. 极限真空度: 5×10-3Pa 4. 压升率: ≤2Pa/h 5. 靶数量: 2个
6. 靶功率: 单靶2KW 7. 加热温度: 室温~150℃
8. 工件最大尺寸: 垂直方向最大尺寸≤100mm 9. 总功率: 25KW (二)外部设施要求: (用户自备)
1. 电源: 380V 2. 气源:
压缩空气: 净化干燥,使用压力0.4~0.6Mpa 高纯氩气: 99.999%
高纯氮气: 99.999% 其它气体 3.冷却用水
压力: 1.5~2.5Kg/cm2、水温<20℃
4.占地面积: 20m2
三、 主要组成部分:真空镀膜室、真空系统、充气系统、气动系统、
水路系统、电控系统 1.真空镀膜室
真空镀膜真空室体、靶装置、传动系统、加热器、观察窗、靶挡板机构、隔热屏、放气阀.
1).真空镀膜室体:为立式园筒形侧开门不锈钢结构. 2).靶装置:靶体及其零部件、磁体、屏蔽罩 靶型式:园形平面靶 靶面有效尺寸:φ120 靶位排布:侧面对放
靶特点:采取2个同心环磁体,每个同心环均由若干个磁
柱
组成环状,可拓宽靶刻蚀区和改善靶原子的沉
积分
布,从而提高膜厚的均匀度.
靶-基距:靶与基片的距离为50~80连续可调
3).传动系统:电机、主轴、密封箱、轴承、水冷箱等等. 4).加热器: 管状加热器
2.真空系统: 扩散泵:
K-200T
罗茨泵: ZJ-30 旋片泵: 2X-8 冷阱: DN200
气动高真空挡板阀: 2个 电磁真空带充气阀
波纹管: 3套 不锈钢连接管道: (1Cr18Ni9Ti )若干套 泵架: 3.充气系统:采用双路质量流量控制器自动充气. 流量显示仪: D08-2C/ZM 质量流量控制器: D07-7A/ZM 电磁截止阀: DJ2B-301 充气管: 00Cr17Ni14Mo2不锈钢管 三通及四通若干: 真空胶管及托架:
2个 2个
4.气动系统:气动三联件、电磁换向阀、阀板、气管、气嘴、支架等
5.水冷系统:进水总管、回水总管、支架、球阀、水管及附件、电接点压力表.
6.电控系统:
靶电源、加热控制电源、传动系统控制、真空测量控制系统
及
各类仪表、按钮、电控柜柜体等。
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