第1章课后习题参考答案(2)

13.3V

当IC=20mA时，UCE

20V

当IC=10mA时，UCE

40V

PCMU(BR)CEO

当UCE=U(BR)CEO=50V时，IC

400mW50V

8mA

由上述数据可绘制出临界损耗线如图，这条曲线的右上方为过损耗区。

饱CM线

过

大

截

耗区

止区

3）当UCE=15V，IC=15mA时，图中查得：IB=300μA, ICEO=0，所以

icib

15mA300 A

50

1

5051

0.98

17．测得工作在放大电路中四个晶体管三个电极电位U1、U2、U3分别为下列各组数值，判断它们是NPN型还是PNP型，是硅管还是锗管。确定e、b、c三个电极。 1）U1=3.5V，U2=2.8V，U3 = 12V 2）U1= 3V，U2=2.8V，U3 = 12V 3）U1= 6V，U2=11.3V，U3=12V

4）U1= 6V，U2=11.8V，U3=12V 解：放大电路中的晶体三极管必须工作在放大状态，对于NPN型三极管，要求UBE＞0，UBC＜0，即UC＞UB＞UE；对于PNP型三极管，则要求UBE＜0，UBC＞0，即UC＜UB＜UE。因

电子技术基础 试题

此可判断：

1）U1=3.5V，U2=2.8V，U3 = 12V 因为 U2＜U1＜U3,且U12=0.7V

所以 它是NPN型硅管。1极为b极，2极为e极，3极为c极 2）U1= 3V，U2=2.8V，U3 = 12V

因为 U2＜U1＜U3,且U12=0.2V

所以 它是NPN型锗管。1极为b极，2极为e极，3极为c极 3）U1= 6V，U2=11.3V，U3=12V 因为 U1＜U2＜U3,且U23= –0.7V

所以 它是PNP型硅管。1极为c极，2极为b极，3极为e极 4） U1= 6V，U2=11.8V，U3=12V 因为 U1＜U2＜U3,且U23= –0.2V

所以 它是PNP型硅管。1极为c极，2极为b极，3极为e极

18．断图中各晶体管的工作状态 (饱和、放大、截止)。设管子均是硅管。

解：

（a）图中，U BE= 0.1-(-0.2)=0.3V>0，UBC=0.1-6= –5.9V＜0，T1工作在放大状态。 （b）图中，若发射结正偏，则UB=UE+UBE=3.6+0.7=4.3V，UBC=UB-UC=4.3-1.4=2.9V，集电结将烧毁；所以三极管集电结正偏，发射结反偏，T2工作在倒置放大状态。 （c）图中，0.7V的电压不能使两个PN结导通，所以T3截止。 (d) 图 IB

6 0.76 (1 ) 1k

12 0.3

5.327

0.196mA

IBS

ICS

420

0.146mA

由于IB＞IBS，所以T4饱和。

19．分别标出如图电路中电压VDD的极性，并指出管子类型。

电子技术基础 试题

解：（a）是N沟道结型场效应管 （b）图是P沟道结型场效应管 （c）是N沟道耗尽型场效应管 （d）是N沟道增强型场效应管 （e）是P沟道耗尽型场效应管 （f）是P沟道增强型场效应管 电源VDD的极性如图所示。

+–++

–

–

20．某MOS场效应管的漏极特性如图所示，试分别画出UDS=9V、6V、3V时的转移特性曲线。

解：

ID/mAUDS=9V

4812

UGS/V

电子技术基础 试题

ID/mAUDS=6V

48

12

UGS/V

ID

/mAUDS=3V

4812

UGS/V

21． 由上题图的MOS管组成的电路如图下图所示，试分析当u i =4V、8V、l2V时，这个管子分别处于什么状态。

解：由题1-20图可得：Ugs(th)=4V，ID0=ID|Ugs=2Ugs(th)=1.2mA

作交流负载线：

负载线方程为：uDS VDD iDRD， 令iD 0，得 uDS VDD 12V； 令uDS 0，得iD

VDDRD

12V3.9k

3.08mA

过点（12V，0）和点（0，3.08mA）可得交流负载线如图所示：

电子技术基础 试题

1）u i =4V时，ugs= Ugs(th)=4V，场效应管处于微导通状态，ID≈0.3mA(查图) Uds=VDD-IDRD=12-3.9×0.3=10.83V 由于Uds >Ugs- Ugs(th)=4-4=0

所以场效应管工作在恒流区（即线性放大状态） 2）u i =8V时，ugs= 8V> Ugs(th)=4V，查得ID=1.2mA

Uds=VDD-IdRD=12-1.2×3.9=7.32V

由于Uds> Ugs- Ugs(th)=8-4=4V，所以场效应管工作在恒流区（即线性放大状态）。 3）u i =12V时 即ugs= 12V> Ugs(th)=4V，查得ID=2.2mA

Uds=VDD-IdRD=12-2.2×3.9=3.42V

由于Uds< Ugs- Ugs(th)=12-4=8V，所以场效应管工作在可变电阻区（即欧姆区）

22．如图是一种CMOS反相器电路，若NMOS管和PMOS管开启电压|UT| = 4V，导通电阻ron =500Ω，试问：( l ) u i分别为0V和10V时，uo等于多少? ( 2 ) 若将PMOS管改成10kΩ电阻，上述输入电压下uo等于多少

?

解：1）当ui=0V时，ugsn=0V，NMOS管夹断；ugsp=-10V，PMOS管导通，由于ron«夹断管电阻，所以，u0=10V；

当ui=10V时，ugsn=10V，NMOS管导通；ugsp=0V，PMOS管夹断，由于ron«夹断管电阻，所以，u0=0V；

2）用10kΩ电阻取代PMOS管后，

当ui=0V时，ugsn=0V，NMOS管夹断，u0

rdsrds 10k

ronron 10k

10V；

当ui=10V时，ugsn=10V，NMOS管导通， u0

10V 0.48V

23．填空题

(1)N型半导体中多数载流子是(自由电子 )，P型半导体中多数载流子是(空穴)。

电子技术基础 试题

(2)当温度升高时，晶体管的β（增大），反向电流 ( 增大 )，UBE (减小)。

(3)电路如图所示，已知D为锗管，反向饱和电流IR = 100μA，则A点的电位UA等于( 9V )；若视二极管D为理想开关，A点的电位则为(10V )；若将二极管D反接，并视为理想开关，则A点电位等于(20V )。

(4)PN结中扩散电流的方向是( )，漂移电流的方向是( )。 (5)在N沟道结型场效应管反相器电路中，已知管子T的夹断电压UP = - 4V，当输入低电平UIL = -8V时，电路的输出电压UO= ( UOH )。 24．选择题

(1)NPN型和PNP型晶体管的区别是( C )。 A.由两种不同材料硅和锗制成； B.渗入的杂质元素不同； C.P和N区的位置不同。

(2)对于共发射极NPN管开关电路，当晶体管处于放大状态时，则有( A )。 A.UBE>0，UBC<0；B.UBE>0，UBC>0；

C. UBE<0，UBC<0；D. UBE =0，UBC =0。

（3）用于放大时，场效应管工作在特性曲线的 B 。 A.夹断区；B.恒流区；C.可变电阻区。

(4)晶体管电流由 1.多子；B1.少子；C1两种载流子)组成；而场效应管的电流由 (A2.多子；B2.少子；C2两种载流子)组成。因此，晶体管电流受温度的影响比场效应管 A。(A3.大；B3.小；C3.差不多)