用模拟法测绘静电场
用模拟法测绘静电场
〔实验目的〕
1、学习用模拟法描绘和研究静电场分布; 2、加深对电场强度和电势概念的理解。 〔实验原理〕
静电场
用电场线形象描绘静电场的分布。
E??2??0r Ur?Ualn(rb/r)
ln(rb/ra)模拟场
用不良导体内的电场模拟静电场。
图1 同轴电缆的模拟模型
(a) 同轴电缆模拟电场装置; (b) 横向剖面
rb?rb?drrdr?ln R??ln Rrarb??rrb2?tra2?trrr2?trUa2?tUaln(rb/r)I???U?IR?U rraRrarb?lnrb rln(rb/ra)raba[实验内容及步骤]
图2 GVZ - 4型导电微晶静电场描绘仪
1、将导电微晶上内、 外两电极分别与直流稳压电源的正、负极相连接,电压表正、 负极分别与测试笔及电源负极相连接,移动测试笔测绘同轴电缆的等位线簇。要求相邻两等位线间的电位差为1V,以每条等位线上各点到原点的平均距离
r为半径画出等位线的同心圆簇。
2、根据电场线与等位线的正交原理,画出电场线,并指出电场强度方向,得到一张完整的电场分布图。
3、在坐标纸上作出相对电位UrU和lnr的关系曲线,并与理论结果比较, 根据
a曲线的性质说明等位线是以内电极中心为圆心的同心圆。 [注意事项]
1、找等位点时尽量让同等位线上的点均匀分布分布在360度上; 2、不同等位线上的点尽量在同一直线上,以方便确定等位线;
3、由于导电微晶边缘处的电流沿边流动,因此等位线必然与边缘垂直, 使该处的等位线和电力线严重畸变。为减小“边缘效应”的影响,将导电微晶的边缘切割成电力线的形状。
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