传感器实验指导书(13)

（a） （b） （c）

图40-1 电子运动轨迹的偏移

如图40-1（a）L>>W的纵长方形片,由于电子的运动偏向一侧,必然产生霍尔效应，当霍尔电场施加的电场力和磁场对电子施加的劳伦兹力平衡时,电子的运动轨迹就不再偏移，所以片中段的电子运动方向与L平行，只有两端才有所偏移，这样，电子的运动路径增长并不多，电阻加大也不多.

图40-1（b）L<

图40-1（c）是按图40-1（b）的原理把多个横长方形片串联而成，片和片之间的金属导体包霍尔电压短路掉，使之不能形成电场，于是电子的运动总是偏转的，电阻增加的比较多。

本实验所采用的传感器是一钟N型的InSb半导体材料做成的磁阻器件。在其背面加了一偏置磁场，所以，当被检测铁磁性物质或磁钢经过其检测区域时，MR1和MR2处的磁场先后增大从而导致MR1和MR2的阻值先后增大，如在①、③两端加电压±Vcc，则②端输出一正弦波。为了克服其温度特性不好的缺陷，采用两个磁阻器件串联以抵消其温度影响。

图40-2 四、实验内容与步骤

1．将磁敏传感器安装在传感器支架上，使传感器探头底部距离转盘的距离约1~2mm左右

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