半导体制造技术总结(3)

14．讨论刻蚀残留物，他们为什么产生以及要怎样去除？P410

16．什么刻蚀中的等离子体诱导损伤，以及这些损伤带来什么问题?P411

18．干法刻蚀的目的是什么？列举干法刻蚀同湿法刻蚀相比具有的优点。干法刻蚀的不足之处是什么？P411

19．列举在干法刻蚀中发生刻蚀反应的三种方法。P412 20．解释发生刻蚀反应的化学机理和物理机理。P412 25．描述圆桶式等离子体刻蚀机。P414 26．描述平板反应器。P415

29．解释离子束铣。他是用什么材料？P417

33．描述电子回旋共振。P419

37．什么是终点检测？为什么在干法刻蚀中它是必需的？最常用的终点检测类型是什么？P422

十七章

1、什么是掺杂？ P442 3、简要描述热扩散。P443

4、简要描述离子注入。 P443

5、请列举用于硅片制造的5种常用杂质。 8、什么是结深？P444

10、列举并解释扩散的三个步骤。P445 14、为什么杂质需要激活？P446

15、什么是杂质的固溶极限？P446

16、解释横向扩散以及不希望有横自扩散的原因。 P447 21、给出离子注入机的概况、P448

22、说明亚0.25微米工艺中掺杂的两个主要目标。P448 23、列举离子注入优于扩散的7点。P449

24、离子注入的主要缺点是什么？如何克服？P450 27、什么是射程？解释能量与射程之间的关系。P450

28、如果电荷数为1的正离子在电势差200keV的电场中运动，它的能量是多少？P450 29、列举离子注入机的4种类型，并简要描述。P451 32、描述注入过程中的两种主要能量损失机制。P451

34、列举离子注入设备的5个主要子系统。P453

35、离子源的目的是什么？最常用的离子源材料是什么？0N P453 39、质量分析器磁铁的作用是什么？描述质量分析器的功能。P455 40、加速管是怎样增加粒子束能量的？P456 45、解释离子束扩散和空间电荷中和。P458 46、形成中性离子束陷阱的原因是什么？P458 47、列举并简要解释4种扫描系统。P459

50、讨论硅片充电、二次电子喷淋和等离子电子喷淋。P460 53、退火的目是什么？高温炉退火和RTA哪一个更优越？P463 55、描述沟道效应。列举并简要解释控制沟道效应的三种机制P464。

十八章

41、描述表面形貌，较高的芯片封装密度会引起表面形貌的何种变化？ 478 3、列举和论述三种传统的平坦化方法。480

5、描述化学机械平坦化，CMP是在恩怨实现的平坦化的？482 4、什么是平坦度？如果SHpre?10um,SHpost?1um，那么DP是多少？483

5、解释WIWNU和WTWNU之间的差别。484 6、列举并解释CMP的9个优点。484 7、列举并解释CMP的4个缺点。484

8、叙述用于解释CMP平坦化表面方式的两种机理484 2、解释金属抛光的原理。485

36、定义磨料。为什么磨料对CMP很重要？487 22、描述抛光垫。488

23、解释表面平滑。修正的目的是什么？488~~489 54、CMP中为什么需要终点检测？491

11、列举并描述在CMP中用的两种终点检测类型。 电机电流终点检测，光学终点监测 36、CMP清洗的终点是什么？493

40、列举并简单描述硅片制造中用到CMP的6个例子。495

十九章

1、定义硅片测试。硅片测试的目的是什么？ 506

2、列举并描述IC生产过程中的5种不同电学测试。 507 3、列出硅片制造过程中完成的两种硅片级测试。 507

6、在线参数测试的另一个名称是什么？在线参数测试是直流测试还是交流测试？ 509 7、列举并解释5个进行在线参数测试的理由。 509 48、什么是划片道监控？509

49、列举并解释在线参数测试中要做的5种不同测试。510 30、解释硅片级可靠性。给出一个硅片级可靠性测试的例子。512 16、列举在线参数测试的4个主要子系统。512 31、列举并解释硅片挑选测试的目标。515

17、列举并描述硅片挑选测试中的三种典型电学测试。516 51、列出影响硅片挑选测试的4个要素。519 41、列举并描述三种成品率模型。523

17-607宿舍终结版