模拟cmos集成电路实验报告(3)

图1、vdc参数设置

图2、vpluse参数设置

3.选择分析类型

点击Analyses——》Choose,可以选择分析类型，这里我们选择Tran（暂态）分析，参数设置如下图3所示，同样的我们也可以选择dc（直流），ac（交流），noise（噪声）等作为我们的分析对象。

图3、tran分析

同理，点击Analyses——》Choose,可以选择分析类型，选择dc（直流）参数设置如下图4，双击select component选择dc如下图5所示：

图4、dc参数设置 图5

4.选择仿真信号

点击Output——》To be plotted——》Select on schematic，选择输出信号的类型，这里我们选择反相器的电压仿真，如下图6所示：

图6、dc和tran

5.仿真产生波形

点击Simulation——》Netlist and run 可进行仿真。若有错误，则会提示，就需要修改原理图，修改没错误后，则会出现波形，我们就可以看到所想要仿真的结果。如图7、8所示。

图7、tran仿真波形

Dc仿真波形

图8、tran和dc仿真波形

四、问题和思考

通过此次试验，我熟悉了仿真参数的设置，了解了仿真的步骤，并且在实验中也使得在课堂上学到的东西加以巩固实践。由于实验书上的步骤有问题，一直找不到实验书上的步骤，比如：在添加vdc和vpluse时一直找不到怎么做，后来问了上次做过的同学，后来明白在原理图界面按I 键就可以出来添加元器件界面，这才明白这个和元器件的添加是同一个道理。后来在仿真dc的工程中不知道参数怎么设置，一直做不出来，后来回来宿舍在网上搜了之后，慢慢就做出来了，所以遇到问题要自己想办法解决，不能总是去依赖别人，这样才能自己真正的学到东西。 这次实验使我对反相器的工作原理更加清晰：CMOS反相器由一个P沟道增强型MOS管和一个N沟道增强型MOS管串联组成。通常P沟道管作为负载管，N沟道管作为输入管。两个MOS管的开启电压VGS(th)P<0，VGS(th)N >0，通常为了保证正常工作，要求VDD>|VGS(th)P|+V GS(th)N。若输入vI为低电平(如0V)，则负载管导通，输入管截止，输出电压接近VDD。若输入vI为高电平(如VDD)，则输入管导通，负载管截止，输出电压接近0V。即当vI为低电平时vo为高电平；vI为高电平时vo为低电平。仿真出来的波形也是正确的符合反相器的工作原理。