电力电子技术题解实例与习题(2)

电力电子技术习题集

答：功率MOSFET、双极型器件或GTR

11、常用的全控型电力电子器件以 、 和 为代表。 答：GTR（电力晶体管）、MOSFET（功率场效应晶体管）、IGBT（绝缘栅双极型晶体管）

12、电力电子器件的损耗可分为: 、 、 和控制极损耗。

答：通态损耗、阻断态损耗、开关损耗

13、功率集成电路是将电力电子器件与逻辑 、 、 、 、自诊断等信息电子电路制作在同一芯片上。

答：控制、保护、传感、检测 二、判断题 1、（×）电力电子器件在使用中必须要加散热器。 2、（√）电力电子器件通常工作在开关状态。 3、（√）电力电子器件是一种能够承受高电压、允许通过大电流的半导体器。 4、（×）电力电子器件是一种能够同时承受高电压和大电流的半导体器件。 5、（×）电力电子器件在导通状态时可以承受高电压。 6、（√）常用可控电力电子器件有3种电极。 7、（×）晶闸管有三个电极分别称为正极、负极和门级。 8、（√）晶闸管由截止状态进入到导通状态必须同时具备两个条件。 9、（×）普通晶闸管、功率晶体管、功率场效应管、绝缘栅双极型晶体管均属于全控型电力电子器件。

10、（×）普通晶闸管为全控型器件，可关断晶闸管为半控型器件。

11、(√) 功率晶体管（GTR）有三个电极，分别是发射极、基极和集电极。 12、（√）功率场效应管(MOSFET)有三个电极，分别是源极、栅极和漏极。 13、（√）绝缘栅双极型晶体管有三个电极，分别是发射极、栅极和集电极。 14、（√）绝缘栅双极型晶体管具有功率晶体管和功率场效应管的优点，所以得到广泛应用。

15、（×）GTR是电压驱动型自关断器件。 16、（×）MOSFET是电流驱动型自关断器件。 17、（×）IGBT是电压、电流复合驱动型自关断器件。 三、选择题

1、晶闸管内部有（ ）PN结。

A、 一个 B、 二个 C、 三个 D、 四个 ：C

2、晶闸管在电路中的门极正向偏压（ ）愈好。 A、愈大 B、愈小 C、不变 D、愈稳定 答： B

3、普通晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（ ）来表示的。 A 有效值 B 最大值 C 平均值 D瞬时值 答：C

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4、当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在( )

A、 导通状态 B、 关断状态 C、 饱和状态 D、 不定 答：B

5、如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为825V，则该晶闸管的额定电压应为（ ）

A、700V B、750V C、800V D、850V 答：A

6、双向晶闸管是用于交流电路中的，其外部有（ ）电极。 A、 一个 B、 两个 C、 三个 D、 四个 答：C

7、双向晶闸管的四种触发方式中，灵敏度最低的是（ ）。 A、Ⅰ+ B、Ⅰ- C、Ⅲ+ D、 Ⅲ- 答：C

8、双向晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（ ）来表示的。 A、 有效值 B、 最大值 C、 平均值 D、 瞬时值 答：A

9、比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（ ） A、IGBT B、 MOSFET C、 GTR D、 GTO 答：C

10、比较而言，下列半导体器件中开关速度最慢的是（ ）。 A、IGBT B、GTR C、MOSFET D、 GTO 答：D