基于单片机的智能瓦斯检测仪的设计(7)

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模块内部显示数据RAM提供64×2个位元组的空间，最多可控制4行16字（64个字）的中文字型显示，当写入显示数据RAM时，可分别显示CGROM与CGRAM的字型；此模块可显示三种字型，分别是半角英数字型(16*8)、CGRAM字型及CGROM的中文字型，三种字型的选择，由在DDRAM中写入的编码选择，在0000H—0006H的编码中（其代码分别是0000、0002、0004、0006共4个）将选择CGRAM的自定义字型，02H—7FH的编码中将选择半角英数字的字型，至于A1以上的编码将自动的结合下一个位元组，组成两个位元组的编码形成中文字型的编码BIG5（A140—D75F），GB（A1A0-F7FFH）。

● 字型产生RAM(CGRAM)

字型产生RAM提供图象定义(造字)功能, 可以提供四组16×16点的自定义图象空间，使用者可以将内部字型没有提供的图象字型自行定义到CGRAM中，便可和CGROM中的定义一样地通过DDRAM显示在屏幕中。

● 地址计数器AC

地址计数器是用来贮存DDRAM/CGRAM之一的地址,它可由设定指令暂存器来改变，之后只要读取或是写入DDRAM/CGRAM的值时，地址计数器的值就会自动加一，当RS为“0”时而R/W为“1”时，地址计数器的值会被读取到DB6——DB0中。

● 光标/闪烁控制电路

此模块提供硬体光标及闪烁控制电路，由地址计数器的值来指定DDRAM中的光标或闪烁位置。

四. 指令说明

模块控制芯片提供两套控制命令，基本指令和扩充指令如下：

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表3-4 RE=0：基本指令

指令 指 令 码 RS RD6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 D功 能 /W 7 清除 显示 地址 归位 显示状态开/关 进入点 设定 游标或显示移位控制 功能 设定 设定CGRAM 地址 设0 0 1 0 AAA28

将DDRAM填满\并且设0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 定DDRAM的地址计数器(AC)到\设定DDRAM的地址计数器0 0 0 0 0 0 0 0 1 (AC)到\并且将游标移到X 开头原点位置;这个指令不改变DDRAM 的内容 D=1: 整体显示 ON 0 0 0 0 0 0 1 D C B C=1: 游标ON B=1:游标位置反白允许 指定在数据的读取与写0 0 0 0 0 0 0 1 /D I入时,设定游标的移动方向S 及指定显示的移位 0 0 0 0 0 SR1 /C /L 设定游标的移动与显示X X 的移位控制位;这个指令不改变DDRAM 的内容 DL=0/1：4/8位数据 0 0 0 0 1 L DX E RX X RE=1: 扩充指令操作 RE=0: 基本指令操作 0 0 0 1 C5 C4 C3 C2 C1 C0 AAAAAAAA设定CGRAM 地址 A设定DDRAM 地址（显示陕西能源职业技术学院毕业论文

定DDRAM 地址 读取忙标志和地址 写数据到RAM 读出RAM的值

C5 C4 C3 C2 C1 C0 位址） 第一行：80H－87H 第二行：90H－97H 读取忙标志(BF)可以确0 1 F 0 BAAAAAAA认内部动作是否完成,同时值 1 数据 将数据D7——D0写入到内部的RAM 1 1 数据 从内部RAM读取数据D7——D0 C6 C5 C4 C3 C2 C1 C0 可以读出地址计数器(AC)的表3-5 RE=1：扩充指令 指令 指 令 码 RRD6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 D功 能 S /W 7 待命 模式 卷动地址开关开启 反白 选择 0 0 0 0 0 0

进入待命模式,执行其他指0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 令都棵终止 待命模式 0 0 0 0 0 0 0 0 1 R SSR=1：允许输入垂直卷动地址 SR=0：允许输入IRAM和CGRAM地址 选择2行中的任一行作反白0 0 0 0 0 0 0 1 1 SR0 X R显示，并可决定反白与否。初始值R1R0＝00，第一次设定为反白显示，再次设定变回正常 X SL=0：进入睡眠模式 1 29 陕西能源职业技术学院毕业论文

睡眠 模式 扩充 功能 设定 设定绘图RAM 地址 0 0 0 0 0 0 0 0 1 L CL SL=1：脱离睡眠模式 CL=0/1：4/8位数据 RE=1: 扩充指令操作 X E RG 0 RE=0: 基本指令操作 G=1/0：绘图开关 设定绘图RAM 0 C3 C2 C1 C0 1 AAA再设定水平(行)地址AAAAC6 C5 C4 AC3AC2AC1AC0 C3 C2 C1 C0 将以上16位地址连续写入即可 AAAAAC6AC5?AC0 先设定垂直(列)地址备注：当IC1在接受指令前,微处理器必须先确认其内部处于非忙碌状态，即读取BF标志时，BF需为零,方可接受新的指令；如果在送出一个指令前并不检查BF标志，那么在前一个指令和这个指令中间必须延长一段较长的时间，即是等待前一个指令确实执行完成。

3.3 其它部分元件简介

87c552单片机内部包括8k字节的片内程序存储器，可外部扩展64k字节。256字节的随机存取数据存储器，也可外部扩展64k字节。而对于本设计单片机的内存不能满足存储程序的需求，所以要进行外部扩展。而我们可以用2764和6264进行外扩8k字节存储空间来满足我们需求。

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Y11234567891011121314VPPA12A7A6A5A4A32764A2A1A0D0D1D2GNDVCCPGMNCA8A9A11OEA10CED7D6D5D4D328272625242322212019181716151234567891011121314Y1NCA12A7A6A5A4A36264A2A1A0D0D1D2GNDVCCWECE2A8A9A11OEA10CE1D7D6D5D4D32827262524232221201918171615 图3-6 外扩硬件电路图

3.3.1 数据存储器6264

J?1234567891011121314NCA12A7A6A5A4A3A2A1A0D0D1D2GND6264VCCWECE2A8A9A11OEA10CE1D7D6D5D4D32827262524232221201918171615Intel 6264芯片

6264是一种数据存储器即随即存储器（Random Access

6264Memory），简称RAM，用于存放可随时修改的数据信息。它与ROM不同，对RAM可以进行读、写两种操作。RAM为易失性存储器，断电后所存信息立即消失。按其工作方式，RAM又分为静态（SRAM）和动态（DRAM）两种。

Intel 6264的特性及引脚信号 图3-7 6264引脚图 Intel 6264的容量为8KB，是28引脚双列直插式芯片，采用CMOS工艺制造 A12～A0：地址线，可寻址8KB的存储空间。 D7～D0：数据线，双向，三态。

output enable：读出允许信号，输入，低电平有效。 write enable：写允许信号，输入，低电平有效。

chip enable：片选信号1，输入，在读/写方式时为低电平。 CE2：片选信号2，输入，在读/写方式时为高电平。

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