数字电子技术基础全套课件-7

数字电子技术基础 全套课件-7

第七章-------半 导 体 存 储器

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教学内容§7.1 概述 §7.2 只读存储器 §7.3 随机存储器

§7.4 存储容量的扩展§7.5 用存储器实现组合逻辑函数

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教学要求1.了解二极管、晶体管ROM的基本结构 和存储单元结构；会用ROM实现组合逻 辑函数。 2.熟悉RAM的结构和操作过程；了解 RAM的扩展方式。

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7.1

概述

半导体存储器是一种能存储大量二 值信息的半导体器件。按存储 功能分 只读存储器(ROM) 随机存储器(RAM) 双极性 MOS型

按制造 工艺分

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7.2

只读存储器(ROM)

Read Only Memory优点：电路结构简单，断电后数据不丢失，具有非易失性。

缺点：只适用于存储固定数据的场合。电 路 结 构

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只读存储器分类：掩膜ROM:出厂后内部存储的数据不能改动，只 能读出。 PROM:可编程，只能写一次。 EPROM:用紫外线擦除，擦除和编程时间较慢，次 数也不宜多。 E2PROM:电信号擦除，擦除和写入时需要加高电 压脉冲，擦、写时间仍较长。 快闪存储器(Flash Memory):吸收了EPROM结 构简单，编程可靠的优点，又保留了E2PROM用 隧道效应擦除的快捷特性，集成度可作得很高。

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7.3

随机存储器(RAM)

Random Access Memory . . . 优点：读、写方便,使用灵活。 缺点：一旦停电所存储的数据将随之丢失(易失性)。

基本结构：地址译码器、存储矩阵和读\写控制电路构成。 P368图7.3.2

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7.4 存储容量的扩展存储容量= 字数×位数地址输入端

位线

字线

数 据 输 出 端

存储容量= 22×4=4×4

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位扩展

8片1024×1位RAM接成1024×8位的RAM。

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字扩展

4片256×8位的RAM接成1024 ×8位的RAM。

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7.5 用存储器实现组合逻辑函数例7.5.2 试用ROM产生如下一组多输出逻辑函数

Y1 A BC A B C Y AB CD BCD A BCD 2 Y3 ABCD A BC D Y4 A B CD ABCD

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解：化为最小项之和的形式：

Y1 A BCD A BCD A B CD A B CD Y AB CD A BCD ABCD A BCD 2 Y3 ABCD A BC D Y4 A B CD ABCD

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Y1 A AD CD Y3 A BCDA B BC A BCD BCD D DAD B CD Y2 BCB A 4 A B CCD A ABCD YABC ABC D

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