《集成电路制造技术及设备》研究生课程复习提纲_11

集成电路工艺 教学专用 1

研究生

原则：第一单元到第五单元基本概念、知识点，按学校要求有区分度

重点：材料制备原理，平面工艺流程及设备，封装测试及设备

第一单元 习题

1. 集成电路制造技术的发展及特点?

2. 为什么说硅基集成电路还有几十年路可走?

3. 硅单晶锭CZ、MCZ和FZ三种生长方法的特点及适用范围？

4. 硅气相外延工艺采用的衬底不是准确的晶向，通常偏离（100）或（111）等晶向一个小角度，

为什么？

第二单元习题

5. 欲对扩散的杂质起有效的屏蔽作用，对SiO2膜有何要求？工艺上如何控制氧化膜生长质量？

6. 什么是沟道效应？如何才能避免？

2 http://www.77cn.com.cn jinxi@http://www.77cn.com.cn

7. 对n区进行p扩散，使Cs 1000CB，证明：假定是恒定源扩散，结深与(Dt)成正比，请确定比

例因子。

第三单元 习题

12

8. 比较APCVD、LPCVD和PECVD三种方法的主要异同？主要优缺点？淀积Si3N4薄膜的化

学反应式和淀积条件?

9. 等离子体是如何产生的？PECVD是如何利用等离子体的？PEVCD法为何能在较低温度淀积

氮化硅薄膜?

10. 磁控溅射主要有哪几种？特点是什么？

11. 以铝互连系统作为一种电路芯片的电连系统时，若分别采用真空蒸镀和磁控溅射工艺淀积铝

膜，应分别从哪几方面来提高其台阶覆盖特性？

第四单元 习题

12. 试简述硅集成电路平面制造工艺流程中常规光刻工序正确的工艺步骤?

集成电路工艺 教学专用 3

13. 光学分辨率增强技术有那些？紫外光的常见曝光方法有那些？后光刻时代有那些光刻

14. 请列出主要的光刻曝光技术？193nm与157nm成本之战孰优孰劣？

15. 在光刻技术中，为什么常用保真度、选择比、均匀性来衡量刻蚀的精度？请说出“保真度”、

“选择比”的含义。

16. 请画出反应离子刻蚀结构原理图，并叙述其优缺点。

17. 在刻蚀Si3N4时，常用刻蚀气体为CF4+4%O2.如何提高Si3N4/Sio2的选择比？

第五单元 习题

18. 以N阱的CMOS工艺为例介绍反相器的CMOS工艺流程。

19. 微电子测试图形的功能？

20. DFT的基本原则？

21. 说明Al的电迁移现象与原理，以及工艺中如何克服电迁移现象？

4 http://www.77cn.com.cn jinxi@http://www.77cn.com.cn

考 试 提 示

一、题型介绍

1．填空题（20 个空，共40 分）主要由第一单元到第五单元较重要的知识点构成，找到。

2．选择题（20 题，共20 分） 概念判断题。

3．问答题（4 题，共40 分） 由本复习提纲中出现的习题演化而成。

二、开卷考试

三、时间为2 个小时

考试地点：中科大独墅湖239教室

考试时间：2011年4月20日下午2:00到4:00 教材中可