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模拟及数字电子技术基础_川大_期末考试试题

来源:网络收集 时间:2026-09-08
导读: 四 川 大 学 期 末 考 试 试 题 (A卷) (2004 ——2005 学年第 二 学期) 课程号:30307240 课序号: 课程名称:模拟电子技术基础 任课教师: 成绩: 适用专业年级:03级电气、制造 学生人数: 印题份数: 学号: 姓 为第 1 页 2 题间不留空,一般应题卷分开

四 川 大 学 期 末 考 试 试 题 (A卷)

(2004 ——2005 学年第 二 学期)

课程号:30307240 课序号: 课程名称:模拟电子技术基础 任课教师: 成绩: 适用专业年级:03级电气、制造 学生人数: 印题份数: 学号: 姓

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2 题间不留空,一般应题卷分开 教务处试题编号: 3务必用A4纸打印

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教务处试题编

号:

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教务处试题编号:

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教务处试题编号:

学号:

教务处试题编号

学号:

教务处试题编号 03级模拟电子技术基础期末考试答案及评分标准

一、 填空题(每空1分,共12分)

1、耗尽 增强 2、乙 甲乙

AF 1 3、集电极 基极 发射极 PNP 4、 AF 1

5、0.5V 6、 0.1

二、 单项选择题(每题2分,共20分)

1、C 2、D 3、C 4、D 5、C 6、C 7、A 8、B 9、A 10、C 三、 是非题(每题1分,共10分)

1、(×) 2、(√) 3、(×) 4、(×) 5、(√) 6、(×) 7、(√) 8、

(×) 9、(√) 10、(×) 四、 计算题 1、(16分)

(1)微变等效电路(4分)

(2)VB=VCC RB2/(RB2+RB1)≈4.8V

IE=(VB -VBE)/(RE1+RE2)≈1.2mA

rbe≈200+(1+β)×26mv / IE≈1.9KΩ

Ri2 RB1//RB2// rbe (1 )RE1 5.3K (2分)

AV1 gm(RD//Ri2) 3(2分)

(RC//RL)

AV2 12(2分)

rbe (1 )RE1

AV AV1 AV2 36

(3)N沟道绝缘栅耗尽型场效应管 (2分) 2、(10分) (1) Rf

VVi(2分) 01

R1

1

V0 V01dt(4分)

R5C

t

Rf

Vidt(1分)

R5R1C0

Ri RG (RG1//RG2) 1M (2分)

R0 RC 10K (2分)

(2)i2 =0 (3分)(有计算1分,计算正确2分)

五、分析计算题

1、(6分)

正半周导通2分,波形2分;负半周期截止1分,波形1分;坐标1分。 2、(6分)

(A) 可以振荡(3分)

(B) 不能振荡(3分) 3、(10分)

(1)V0=1.2V2=24V (3分) (2)不是 (1分) (3) A:电容损坏(开路)(2分) B:负载开路 (2分)

C:一只二极管开路,且电容也开路 (2分) 4、(10分)

(1)为了使Ro小,Rf引入的反馈组态为电压并联负反馈 ; (2分);

Rf连在运算放大器的反相输入端和T1、T2的发射极之间)。 (2分) (2)

20,R 20RAVFf1 20k (3分)

(3)该反馈可以稳定输出电压,减小输入电阻和输出电阻。(3分)(指出其他

对放大电路的影响也可得分)。

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