电大836信号与系统和数字电路大纲

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电子科技大学2008年硕士研究生入学考试大纲(初试.专业

课)

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理的表述、证明和运用；组合逻辑最简表达与静态冒险问题；组合电路、时序电路的基本特性等。 理的表述、证明和运用；组合逻辑最简表达与静态冒险问题；组合电路、时序电路的基本特性等。 的基本特性等 组合电路、时序电路分析与设计(50%) 2、组合电路、时序电路分析与设计(50%) 主要考评考生对以逻辑门、 基本时序元件为基础的数字组合电路、 主要考评考生对以逻辑门、 基本时序元件为基础的数字组合电路、 时序电路分析设计的基本技能的 掌握程度，分析、设计过程的规范表达能力。 掌握程度，分析、设计过程的规范表达能力。 主要内容有：以逻辑门、基本时序元件为基础的数字组合电路、时序电路分析；利用逻辑门、 主要内容有：以逻辑门、基本时序元件为基础的数字组合电路、时序电路分析；利用逻辑门、基本 时序元件完成规定电路功能的设计；分析、设计过程的规范表达；常用数字逻辑功能单元电路( 时序元件完成规定电路功能的设计；分析、设计过程的规范表达；常用数字逻辑功能单元电路(如 译码器、编码器、数据选择器、比较器、加法器、计数器、移位寄存器等)的基本运用等。 译码器、编码器、数据选择器、比较器、加法器、计数器、移位寄存器等)的基本运用等。 综合分析与应用(30%) 3、综合分析与应用(30%) 主要测试考生利用指定数字电路功能模块设计出能完成预定任

务要求的电路的能力或分析指定电 主要测试考生利用指定数字电路功能模块设计出能完成预定任务要求的电路的能力或分析指定电 路所实现的功能。 路所实现的功能。 主要内容有：常用数字逻辑功能单元电路(如译码器、编码器、数据选择器、比较器、加法器、 主要内容有：常用数字逻辑功能单元电路(如译码器、编码器、数据选择器、比较器、加法器、计 数器、移位寄存器等)的综合应用。 数器、移位寄存器等)的综合应用。

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考试科目 考试时间 参考书目

841 模拟电路 180 分钟

考试层次 总分

√ 博士入学 √ 硕士入学 150 分

模拟电路分析与设计基础 吴援明 科学出版社 2006 年

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第一章 半导体材料及二极管 一、了解半导体的基本知识 本征半导体与杂质半导体 杂质半导体( ;本征激发与复合 本征半导体与杂质半导体(P 型与 N 型) 本征激发与复合；杂质电离；空穴导电原理；多子 ；本征激发与复合；杂质电离；空穴导电原理； 与少子；漂移电流与扩散电流的概念； 结的形成(耗尽层、空间电荷区和势垒区的含义) ;PN 与少子；漂移电流与扩散电流的概念；PN 结的形成(耗尽层、空间电荷区和势垒区的含义) PN ; 结的单向导电特性； 结的单向导电特性；不对称 PN 结。 二、掌握二极管的基本知识 二极管单向导电特性及二极管伏安特性方程； 二极管伏安特性曲线及其温度特性； 二极管单向导电特性及二极管伏安特性方程； 二极管伏安特性曲线及其温度特性； 二极管导通 电压与反向饱和电流；二极管的直流电阻与交流电阻(估算式) 硅管与锗管的区别。 ;硅管与锗管的区别 电压与反向饱和电流；二极管的直流电阻与交流电阻(估算式) 硅管与锗管的区别。 ; 三、二极管应用 掌握单向导电特性应用：整流与限幅。能分析简单二极管电路。 掌握单向导电特性应用：整流与限幅。能分析简单二极管电路。 正向导通特性应用：恒压源模型及小信号模型 模型。 正向导通特性应用：恒压源模型及小信号模型。 反向击穿特性及应用：了解反向击穿现象；掌握稳压管工作原理及电路。 反向击穿特性及应用：了解反向击穿现象；掌握稳压管工作原理及电路。 了解电容效应及应用：势垒电容与扩散电容；变容二极管原理。 了解电容效应及应用：势垒电容与扩散电容；变容二极管原理。 双极型晶体三极管(BJT) 第二章 双极型晶体三极管(BJT) 一、理解 BJT 工作原理 放大偏置特点；放大偏置时内部载流子传输；放大偏置时外电流关系( NPN 与 PNP 管；放大偏置特点；放大偏置时内部载流子传输；放大偏置时外电流关系(掌握直 流传

输方程， 流传输方程， , 的概念) ;放大偏置时的 vBE、 的作用( ,ICBO,ICEO 的概念) 放大偏置时的 vBE、vCE 的作用(正向电压的指数控 ICBO, ;

制作用和反向电压的基区宽调效应) ;BJT 的截止与饱和状态及特点。 制作用和反向电压的基区宽调效应) BJT 的截止与饱和状态及特点。 ; 二、BJT 静态伏安特性曲线 理解共射输入特性曲线和输出特性曲线(三个区)及特点。 理解共射输入特性曲线和输出特性曲线(三个区)及特点。 三、BJT 参数 理解 、 、α、β、ICBO、ICEO、ICM、PCM、BVCEO 和 fT 的含义 ICBO、ICEO、ICM、PCM、

四、混合 π 模型 理解完整模型和了解模型参数的物理含义。 理解完整模型和了解模型参数的物理含义。 熟练掌握两种简化模型( 参数模型)及其模型参数的计算方法。 熟练掌握两种简化模型(gm 参数和 β 参数模型)及其模型参数的计算方法。 第三章 BJT 放大电路 一、理解放大器的一些基本概念 信号源(内阻，源电压，源电流) 负载电阻；输入输出电压(电流) 耦合电容与旁路电容； ;负载电阻 ；耦合电容与旁路电容 信号源(内阻，源电压，源电流) 负载电阻；输入输出电压(电流) 耦合电容与旁路电容； ; ; 直流通路与交流通路；交流地；工作点；小信号放大的波形演示。 直流通路与交流通路；交流地；工作点；小信号放大的波形演示。 二、熟练掌握 BJT 偏置电路的分析和设计方法 工作点的估算；直流负载线；稳基流电路； 原理和稳定条件。 工作点的估算；直流负载线；稳基流电路；基极分压射极偏置电路的稳 Q 原理和稳定条件。 三种基本组态放大器(中频段) 三、BJT 三种基本组态放大器(中频段) 熟练掌握小信号放大器指标及其意义：端增益、源增益、输入与输出电阻。 熟练掌握小信号放大器指标及其意义：端增益、源增益、输入与输出电阻。 CE、CC、 放大电路、指标及特点；熟练掌握等效电路分析法。 掌握 CE、CC、CB 放大电路、指标及特点；熟练掌握等效电路分析法。 放大器的交流负载线的画法和动态范围的分析方法；理解截止失真与饱和失真。 掌握 CE 放大器的交流负载线的画法和动态范围的分析方法；理解截止失真与饱和失真。 四、多级放大器 理解级间耦合方式；了解直流放大器的特殊问题；掌握放大器通用模型；掌握多级放大器指标 理解级间耦合方式；了解直流放大器的特殊问题；掌握放大器通用模型；掌握多级放大器指标 计算。 计算。 第四章 MOSFET 及其放大电路 一、FET 原理 的分类、电路符号； JFET; 了解 FET 的分类、电路符号；了解 N 沟道增强 MOSFET 的工作原理及 N 沟道 JFET

;放大区的沟 的影响。 道状态及 vGS 和 vDS 对 iD 的影响。

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二、FET 特性曲线 为重点， 的结构特性曲线和输出特性曲线， 以 N 沟道增强型 MOSFET 为重点，理解 FET 的结构特性曲线和输出特性曲线，掌握放大区的平 方律公式。 方律公式。 偏置电路(自给偏压和混合偏置) 三、FET 偏置电路(自给偏压和混合偏置) 掌握工作点的估算方法， 偏置极性的差别。 掌握工作点的估算方法，了解 P 沟道 FET 与 N 沟道 FET 偏置极性的差别。 四、FET 的小信号模型 的含义及计算式， 含义、完整小信号模型；掌握低频小信号模型。 理解 gm 的含义及计算式，理解 rds 含义、完整小信号模型；掌握低频小信号模型。 五、FET 的 CS 和 CD 组态放大器 …… 此处隐藏：3994字，全部文档内容请下载后查看。喜欢就下载吧 ……