计算机组成原理实验报告 - 图文(2)

3．验证移位寄存器的功能 三. 实验总结

心得体会: 由于对于实验形式的熟悉以及通过数次对于实验器材的检验为本次实验提供了较好的基础,本次实验进行过程较为成功,实现了循环左右移,带进位左右移等功能,对于移位器的功能有了更深的体会.

实验三 存储器

【实验目的与要求】

1．掌握存储器的组成、功能及工作原理。 2．验证半导体静态随机存储器RAM的读写过程。 【实验设备和环境】

本实验使用EL-JY-II型计算机组成原理实验挂箱和一组连接线。 【实验内容】 一．实验原理

实验中的静态存储器由2片SRAM 6116（2K×8）构成，其数据线D0~D15接到数据总线，地址线A0~A7由地址锁存器74LS273(集成于EP1K10内)给出。黄色地址显示灯A7-A0与地址总线相连，显示地址总线的内容。绿色数据显示灯与数据总线相连，显示数据总线的内容。

因地址寄存器为8位，接入SRAM 6116的地址A7-A0，而高三位A8-A10接地，所以其实际容量为28＝256字节。6116有三个控制线，/CE（片选）、/R（读）、/W（写）。其写时间与T3脉冲宽度一致。

当LARI为高时，T3的上升沿将数据总线的低八位打入地址寄存器。当WEI为高时，T3的上升沿使6116进入写状态。 二．实验步骤

为了避免总线冲突，首先将控制开关电路的所有开关拨到输出高电平“1”状态，所有对应的指示灯亮。

本实验中所有控制开关拨动，相应指示灯亮代表高电平“1”，指示灯灭代表低电平“0”。 连线时应注意：对于横排座，应使排线插头上的箭头面向自己插在横排座上；对于竖排座，应使排线插头上的箭头面向左边插在竖排座上。

1. 实验连线

按所给接线图接线，拨动清零开关CLR，使其指示灯显示状态为亮—灭—亮。

2. 往存储器写数据：

以往存储器的（FF） 地址单元写入数据“AABB”为例，操作过程如下图所示： （操作） （显示） （操作） （显示） （操作） 1.C –G=1 地址寄 1.C-G=1 1.LAR=1 存器电2.置数据输入绿色数据总2.置数据输入2.T3=1 路黄色电路 线显示灯显电路 （按【单D15—D0＝ 示 D15—D0＝ 地址显步】脉“0000000“0000000“1010101010示灯显01111111冲） 01111 111011” 示 1” 1111” 3. LAR=0 “1111113.CE=1 4. C-G=0 11” 4.C-G=0 （显示） (操作) 1.WE=1 2.CE=0 绿色数据总3.T3=1 线显示灯显(按【单示 步】) “1010101014.WE=0 0111011” 按下表单元地址写入相应的数据 地址（二进制） 00000000 01110001 01000010 01011010 10100011 11001111 11111000 11100110 3．从存储器里读数据

从存储器的（FF） 地址单元读出数据“AABB”，操作过程如图3-5所示：

(操作) (显示) (操作) (显示) (操作) (显示)

1.C-G=1 MAR电路 1.LAR=1 2. 置数据输入绿色数据总黄色地址 1. 2.T3=1 绿色数据总电路 线显示灯显显示灯显 C-G=1 2. (按【单线显示灯显D15—D0＝示 示 LAR=0 步】) 示 \“000000001“11111113. 11111” 1111111” 1” “101010101WE=0 3.CE=1 0111011” 4.CE=0 4.C-G=0 数据（二进制） 0011001100110011 0011010000110100 0011010100110101 0101010101010101 0110011001100110 1010101110101011 0111011101110111 1001110110011011 图3-5 存储器读出数据示意图

按图3-5步骤从写入数据的单元读出相应的数据，验证其正确性。 三. 实验总结