模电课后（康华光版）习题答案4(2)

由vCE=VCC-ic（Rc+Re）作直流负载线MN，由纵轴IC=1.65mA处作水平线与MN交于Q点，则VCE≈7.8V，IB≈28μA。

（2）

rbe?rbb?(1??)26mV?1.2k?IE

（3）

其中

?????RLA??100vrbe

3?6k??2k?3?6

??Rc||RL?RL（4）由交流负载线M′N′与输出特性曲线的交点可知，输出电

压的最大不失真幅度Vom≈11.1V-7.8V=3.3V。

（5）当VCE=4V时

VCC?VCE?2.4mARc?Re

VB?VE?VBE?ICRe?VBE?5.5V IC?上偏流电阻

Rb1?VCC?VB?Rb2?38.2k?VB

4.5．2 在图题3．6．2所示电路中，已知Rb=260kΩ，Re=RL=5．1kΩ，Rs=500Ω，VEE=12V，β=50，试求：（1）电路的Q点；（2）电压增益Av、输入电阻Ri及输出电阻Ro；（3）若Vs=200mv，求Vo。

图题3.6.2

???

解:（1）求Q点

IB?VEE?23?ARb?(1??)Re?AvIC??IB?1.15mAVCE??(VEE?IcRe)??6.13V （2）求、Ri、R。

rbe?rbb?(1??)??Av26mV?1.35k?IE(1??)(Re||RL)?0.99rbe?(1??)(Re||RL)rbe?Rb||Rs?36?1??Ri?Rb||[rbe?(1??)(Re||RL)]?87.3k?Ro?Re||?（3）Vs?200mV时

?V???A?Vovi?Av?Ri??197mV?VsRs?Ri

4.5.5 电路如图题3．6．4a所示。BJT的电流放大系数为β，输入电阻为rbe，略去了偏置电路。试求下列三种情况下的电压增益

Ri和输出电阻Ro：①vs2=0，从集电极输出；②vs1=0，

从集电极输出；③vs2=0，从发射极输出。并指出上述①、②两种情况的相位关系能否用图b来表示？符号“+”表示同相输入端，即vc与ve同相。而符号“-”表示反相输入端，即vc与vb反相。

?Av、输入电阻

图题3.6.4

解: ①

???Av?RCrbe?(1??)ReRi?rbe?(1??)Rerbe1??Ro?Rc ②

??Av

?Rcrbe?(1??)ReRi?Re?Ro?Rc ③

??Av(1??)Rerbe?(1??)Re

Ri?rbe?(1??)Re

rbe1??

Ro?Re||①、②两种情况的相位关系能用图b表示，即将vs1加于“-”端，vs2加于“+”端。

第五章部分习题解答

5.1．1 图题4.3.1所示为MOSFET的转移特性，请分别说明各属于何沟道？如是增强型，说明它的开启电压VT=？如是耗尽型，说明它的夹断电压Vp=？（图中iD的假定正向为流进漏极

图题4.3.1

解: 由图题4.3.1可见：

图a为N沟道耗尽型MOSFET，其VP=-3V； 图b为P沟道耗尽型MOSFET，其VP=2V； 图c为P沟道增强型MOSFET，其VT=-4V。

5.1.2 一个MOSFET的转移特性如图题4.3.3所示（其中漏极电流iD的方向是它的实际方向）。试问：

（1）该管是耗尽型还是增强型？ （2）是N沟道还是P沟道FET？

（3）从这个转移特性上可求出该FET的夹断电压VP还是开启电压VT？其值等于多少？

图题4.3.3

解: 由图题4.3.3可见，它是P沟道增强型MOSFET，其VT=－4V。

5.3.5 四个FET的转移特性分别如图题4.3.4a、b、c、d所示，其中漏极电流iD的方向是它的实际方向。试问它们各是哪种类型的FET？

图题4.3.4

解: 由图题4.3.4可见：

图a为P沟道JFET；

图b为N沟道耗尽型MOSFET； 图c为P沟道耗尽型MOSFET； 图d为N沟道增强型MOSFET。

5.2.9 已知电路参数如图题4.4.4所示，FET工作点上的互导gm=1mS，设rd》Rd。(1)画出小信号等效电路；（2）求电压增益àv；（3）求放大电路的输入电阻Ri。

解: （1）画小信号等效电路

图题4.4.4 图解 4.4.4