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2010年普通高等学校招生全国统一考试理综试题及答案(全国卷II wo(2)

来源:网络收集 时间:2026-08-26
导读: (www.e-huaxue.com) 集各地最新资料精华 按“教材目录、知识体系”编排 培养基上添加少量的X来生产中间产物1,则应选用 (野生型、甲、乙)。 (2)将甲、乙混合接种于基本培养基上能长出少量菌落,再将这些菌落

(www.e-huaxue.com) 集各地最新资料精华 按“教材目录、知识体系”编排 培养基上添加少量的X来生产中间产物1,则应选用 (野生型、甲、乙)。

(2)将甲、乙混合接种于基本培养基上能长出少量菌落,再将这些菌落单个挑出分别接种

在基本培养基上都不能生长。上述混合培养时乙首先形成菌落,其原因是 。

(3)在发酵过程中,菌体中X含量过高时,其合成速率下降。若要保持其合成速率,可采

取的措施是改变菌体细胞膜的 ,使X排出菌体外。

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(www.e-huaxue.com) 集各地最新资料精华 按“教材目录、知识体系”编排 2010年普通高等学校招生全国统一考试 理科综合能力测试参考答案和评分参考

Ⅰ卷共21小题,每小题6分,共126分。

一、选择题:选对的给6分,选错或未选的给0分。 1-5 BBCAB 6-10 DACCB 11-13 ADA

二、选择题:全部选对的给6分,选对但不全的给3分,有选错的给0分。

14. D 15. AB 16. BD 17. B 18. D 19. BC 20. AD 21. B Ⅱ卷共13题,共174分。 22. (5分)(1)C

(3分,有选错的即不给分)

(2)打点计时器与纸带间存在摩擦 (2分,其他合理答案同样给分) 23. (13分)(1)实验原理电路图如图所示。

5

(2)④电阻箱的读数R0

(2分) ⑤仍为I0

(2分)

(2分)电阻箱的读数为R1 (2分) ⑥R0?R1?150?

24. (15分)

根据功能原理,在物块从开始下滑到静止的过程中,物块重力势能减小的数值?Ep与物块克服摩擦力所做功的数值W相等,即?Ep?W

①设物块质量为m,在水平滑道上滑行的总路程为s',则?Ep?mgh

②W??mgs'

③设物块在水平轨道上停住的地方与N点的距离为d。若物块在与P碰

撞后,在到达圆弧形轨道前停止,则s'?2s?d

④联立①②③④式得d?2s?h? ⑤此结果在

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(www.e-huaxue.com) 集各地最新资料精华 按“教材目录、知识体系”编排 h??2s时有效。若

h??2s,则物块与P碰撞后,可再一次滑上圆弧形轨道,滑下后在水

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(www.e-huaxue.com) 集各地最新资料精华 按“教材目录、知识体系”编排 平轨道上停止,此时有s'?2s?d ①②③⑥式得d?

⑥联立

h??2s

⑦评

分参考:①式3分,②③式各2分,④⑤⑥⑦式共8分(只要得出⑤式或⑦式,即给这8分中的6分)。25. 根据题意,由运动学规律可知,小球A与B碰撞前的速度大小相等,设均为v0,由机械能守恒有mAgH?12mAv0 2 ①

设小球A与B碰撞后的速度分别为v1和v2,以竖直向上方向为正,由动量守恒有

②由于两球碰撞过程中能

量守恒,故 ③联立②③式得

④设小球B能上升的最大高度为h,

⑤由①④⑤式得

2v2由运动学公式有h?

2g ⑥评分参考:①式3分,②③式

各4分,④式2分,⑤式3分,⑥式2分.26. (21分)(1)由题意知,所有离子在平行金属板

之间做匀速直线运动,它所受到的向上的磁场力和向下的电场力平衡,有

①式中,v是离子运动的速度,E0是平行金属板

②由①

之间的匀强电场的强度,有E0?V d②式得 ③在正三角形磁场区域,离

子甲做匀速圆周运动。设离子甲质量为m,由洛仑兹力公式和牛顿第二定律有

④式中,r是离子甲做圆周运动的半径。离子甲在

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(www.e-huaxue.com) 集各地最新资料精华 按“教材目录、知识体系”编排 磁场中的运动轨迹为半圆,圆心为O:这半圆刚好与

EG边相切于K,与EF边交于P点。在?EOK中,

OK垂直于EG。由几何关系得

⑤由⑤式得

⑥联立③④⑥式得,离子甲的质量为

⑦(2)同理,有洛仑兹力公式和牛顿第

二定律有

⑧式中,m'和r'分别为离子乙

的质量和做圆周运动的轨道半径。离子乙运动的圆周的圆心O'必在E、H两点之间,又几

何关系有 ⑨由⑨式得

⑩联立③⑧⑩式得,离子乙的质量为

11(3)对于最轻的离子,其质量为m/2,由④式知,它在磁场中做半径为r/2○

的匀速圆周运动。因而与EH的交点为O,有

12当这些离子中的离子质量逐渐增大到m时,离子到达磁场边界上的点的位置从O点○

沿HE边变到P点;当离子质量继续增大时,离子到达磁场边界上的点的位置从K点沿EG边趋向于I点。K点到G点的距离为

13所以,磁场○

边界上可能有离子到达的区域是:EF边上从O到P点。EG边上从K到I。评分参考:第(1)问11分,①②式各1分,③式2分,④⑤式各2分, ⑦式3分.第(2)问6分,⑧式1分,⑨式2分,11式3分第(3)问4分 对于磁场边界上可能有离子达到的区域,答出“EF○边上从O到I”给2分,答出“EG边上从K到I”,给2分。

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