单片机控制的恒温箱的设计(10)

ds18b20_writeByte(0xcc); //写指令:跳过rom检测 ds18b20_writeByte(0x44); //写指令:温度转换 //delayms(750);// 转换延时需要750ms以上,我们不等它

//首次转换未完成时,得到的初始化数据是85度,处理一下就可以了 //温度转换电路是硬件独立的,不会阻塞初始化功能 if(ds18b20_init()) {

ds18b20_writeByte(0xcc); //写指令:跳过检测rom ds18b20_writeByte(0xbe); //写指令:读取温度值 temp=ds18b20_readByte(); //先读低8位数据

temp|=(uint)ds18b20_readByte()<<8; //再读高8位数据,然后合并

temp&= 0x0FFF; //高4位数据反正没用上,我们用来存放错误码

} }

return temp; }

uchar ds18b20_init() //初始化 {

uchar checkState=0;

DQ=1; //总线初始状态 _nop_();_nop_();

DQ=0; //mcu先将总线拉低

delayXus(80); //延时530us,要求480us~960us的低电平信号

//当ic接受到此复位信号后会回发一个存在信号 //mcu若要接收此存在信号则先要释放总线,让ic控制该总线

//当mcu释放总线后的15~60us之后,ic才向总线发一个低电平信号

//该信号存在时间为60~240us DQ=1; //mcu释放总线

delayXus(10); //mcu释放15~60us以上,(8+6*10)*1.085=73us, //这时DS18B20已经拉低信号，大约60~240us应答保持时间,

checkState=DQ; //在这段60~240us时间内,mcu采样是否有器件响应,0表示有响应

delayXus(70); //延时464us,加上之前的73us,共537us

//虽然ic在拉低电平60~240us之后,会释放总线,但整个时间至少480us

//故我们共用时537us,这样是为了不影响后续的操作

return 1; //初始化成功 }