教学文库网 - 权威文档分享云平台
您的当前位置:首页 > 精品文档 > 政务民生 >

第八章多晶体X射线衍射分析方法

来源:网络收集 时间:2026-08-30
导读: 多晶体X射线衍射分析方法 第八章 扫描电子显微镜与 电子探针显微分析 多晶体X射线衍射分析方法 日本电子JEOL TESCAN 多晶体X射线衍射分析方法 前 言 扫描电子显微镜 (Scanning Electron Microscope), 是继透射电子显微镜后发展起来的一种电子显微镜。 SEM成

多晶体X射线衍射分析方法

第八章 扫描电子显微镜与 电子探针显微分析

多晶体X射线衍射分析方法

日本电子JEOL

TESCAN

多晶体X射线衍射分析方法

前 言

扫描电子显微镜 (Scanning Electron Microscope), 是继透射电子显微镜后发展起来的一种电子显微镜。 SEM成像原理与TEM和OM不同,它是用细聚焦的 电子束轰击样品表面,通过对电子与样品相互作用 产生的各种信息进行收集、处理,从而获得微观形 貌放大像。 现代的SEM结合X射线光谱分析仪、电子探针以及 其它技术而发展成为分析型扫描电子显微镜,分析 精度不断提高、结构不断优化,应用功能不断扩展。 目前已广泛应用在冶金矿产、生物医学、材料科学、 物理化学等领域。

多晶体X射线衍射分析方法

SEM的主要特点: ⑴ 仪器分辨本领较高。二次电子像分辨率达到 7~10nm。 ⑵ 仪器放大倍数变化范围大(从几十倍到几十万 倍),且连续可调。 ⑶ 图像景深大,富有立体感。可直接观察起伏较 大的粗糙表面(如金属和陶瓷断口等)。

⑷ 试样制备简单。只要将块状或粉末状的、导电 或不导电的试样不加处理或稍微处理就可以直接放 到SEM中观察。比TEM制样简单且图像更接近于 试样的真实状态。

多晶体X射线衍射分析方法

⑸ 可做综合分析。SEM上装有WDX或EDX后, 在观察扫描形貌像的同时可以对微区进行元素 分析。装上半导体样品座,可以直接观察晶体 管或集成电路的p-n结及器件失效部位的情况。 装上不同类型的试样台和检测器可以直接观察 处于不同环境(加热、冷却、拉伸等)中的试 样显微结构形态的动态变化过程。

多晶体X射线衍射分析方法

8.1 电子束与固体样品相互作用

电子束在固体材料中的作用体积 作用体积的大 小与形状与入 射电子束的加 速电压以及材 料的种类有关。 加速电压越高, 作用体积越大; 原子序数越大, 作用体积由 “梨形”向半 球形转变。

多晶体X射线衍射分析方法

8.1 电子束与固体样品相互作用

高能电子束与固体样品相互作用如图示。

多晶体X射线衍射分析方法

8.1 电子束与固体样品相互作用

8.1.1 背散射电子 背散射电子——被固体样品中的原子核反弹回来 的一部分入射电子,包括弹性背散射电子和非弹 性背散射电子。 ⑴ 弹性背散射电子 ——被样品中原子反射回来的散射角大于90°的 那些入射电子,即方向发生改变但能量基本不变。 弹性背散射电子的能量为数千eV到数万eV。

多晶体X射线衍射分析方法

背散射电子BSE

⑵ 非弹性背散射电子 ——进入固体样品后通过连续散射改变运动方向, 最后又从样品表面发射出去的入射电子,不仅有 运动方向的改变还有能量的变化。

非弹性背散射电子的能量范围在数十eV到数千eV。 弹性背散射电子数额比非 弹性背散射电子要多。

多晶体X射线衍射分析方法

背散射电子BSE

背散射电子的产

生范围在样品表面以下100nm~1μm。 其产额随原子序数增加而增加。如图示。当Z↑时, 产额η↑。因此,背散射电子可以用来显示原子序数 衬度,定性地进行成分分析。

产额η指一个入射电子产 生能量大于50eV的背散射 电子的几率。即 η =IR / I0

多晶体X射线衍射分析方法

二次电子

二次电子——被入射电子轰击出来的核外电子, 通常为外层电子。

二次电子信号主要来自样品表层5~10nm深度范 围,能量较低(小于50eV)。二次电子产额对于样 品的表面状态非常敏感,采用二次电子成像时能 有效地显示试样表面的微观形貌。

多晶体X射线衍射分析方法

二次电子

一个能量很高的入射电子射入样品时,可以产生 很多的二次电子,其中绝大部分来源于价电子。 二次电子分辨率很高,一般可达到5nm~10nm, SEM的分辨率通常就是二次电子分辨率。

多晶体X射线衍射分析方法

吸收电子

8.1.3 吸收电子 吸收电子——经样品多次非弹性散射,能量损失 殆尽,最后被样品吸收的那部分入射电子。若在 样品和地之间接入一个高灵敏度的电流表即可测 得对地信号,这就是吸收电子提供的。 若背散射电子或二次电子数量任一项增加,将会 引起吸收电子数量的相应减少,若用吸收电子来 调制成像,则其衬度与二次电子像和背散射电子 像衬度的反差是互补的。

多晶体X射线衍射分析方法

透射电子

8.1.4 透射电子 透射电子——当样品厚度小于电子有效穿透深度时, 穿过样品而出的那些入射电子。在样品下方检测到 的透射电子包括有能量与入射电子相当的弹性散射 电子和各种不同能量损失的非弹性散射电子。 有些特征能量损失ΔE的非弹性散射电子与分析区域 的成分有关。因此,可以用特征能量损失电子进行 微区成分分析——特征能量损失谱(EELS)

多晶体X射线衍射分析方法

特征X射线

8.1.5 特征X射线 特征X射线——原子内层电子受到激发后,在能级 跃迁过程中直接释放的具有特征能量和波长的一种 电磁波。特征X射线的波长和原子序数之间服从莫 塞莱定律: K (Z )2式中:Z—原子序数;K、σ为常数。

原子序数和特征能量之间存在对应关系,利用这种 对应关系可以进行成分分析——若用X射线探测器 测到了样品微区中存在某一特征波长,就可以判断 该微区中存在相应元素。

多晶体X射线衍射分析方法

俄歇电子

8.1.6 俄歇电子 俄歇电子——原子内层电子受到激发后,在能级跃 迁过程中释放出来的能量ΔE使得核外另一个电子电 离并逸出样品表面,称为俄歇电子。 每种原子都有特定的能级,因此,俄歇电子的能量 也具有特征值,一般在50eV~1500eV范围内。 俄歇电子来源于样品表面以下几个nm(小于2nm), 因此只能进行表面化学成分分析。 一个原子中

至少要有3个以上电子才能产生俄歇效 应,铍是产生俄歇电子的最轻元素。

…… 此处隐藏:940字,全部文档内容请下载后查看。喜欢就下载吧 ……
第八章多晶体X射线衍射分析方法.doc 将本文的Word文档下载到电脑,方便复制、编辑、收藏和打印
本文链接:https://www.jiaowen.net/wendang/976931.html(转载请注明文章来源)
Copyright © 2020-2025 教文网 版权所有
声明 :本网站尊重并保护知识产权,根据《信息网络传播权保护条例》,如果我们转载的作品侵犯了您的权利,请在一个月内通知我们,我们会及时删除。
客服QQ:78024566 邮箱:78024566@qq.com
苏ICP备19068818号-2
Top
× 游客快捷下载通道(下载后可以自由复制和排版)
VIP包月下载
特价:29 元/月 原价:99元
低至 0.3 元/份 每月下载150
全站内容免费自由复制
VIP包月下载
特价:29 元/月 原价:99元
低至 0.3 元/份 每月下载150
全站内容免费自由复制
注:下载文档有可能出现无法下载或内容有问题,请联系客服协助您处理。
× 常见问题(客服时间:周一到周五 9:30-18:00)