阵列特征 - 图文

阵列特征 要源文件的加QQ754638264

对于阵列特征，在proe里面包括尺寸阵列﹑方向阵列﹑轴阵列﹑表阵列﹑填充阵列﹑参考阵列﹑曲线阵列﹑点阵列，共八种阵列方式，阵列的原始特征可以是构建的实体几何，也可以是点﹑直线﹑曲线﹑面。在所有阵列中参考阵列相对来说是比较特别的，特别在于该阵列特征要在该阵列前面已经有阵列特征，并且参考阵列的原始特征的建立必须参考前面已有的某个阵列特征。对于曲线阵列﹑填充阵列中的曲线必须是平面曲线（也就是草绘曲线），而且对于填充阵列来说填充曲线还必须是封闭的，曲线阵列则不要求曲线封闭。接下里来逐一介绍这几种阵列： 1﹑尺寸阵列

尺寸阵列是一个很强大的阵列指令，强大在于它可以很方便的将阵列的尺寸与“关系”联系在一起，也就是可以控制尺寸使之参数化。对于尺寸阵列中控制的尺寸分为原始阵列几何固有的尺寸（例如图中圆柱中心线距离下面矩形拉伸体边界的距离的两个20，圆柱的高度30，圆柱体的直径20）和阵列的阵列尺寸（例如第一第二方向的阵列间距﹑阵列个数）。

进入尺寸阵列，我们可以在“尺寸”下拉菜单中看到第一方向尺寸﹑第二方向尺寸，在上方的一排横向我们可以选择阵列个数以及两个方向上的项目（在同一个方向上添加多个项目可以按住ctrl键添加，例如添加图中边界距20和圆柱高度为第一方向尺寸）。

对于尺寸阵列而言，在两个不同方向上如果想借助关系来参数化定义各种尺寸的变化，只需点击需要控制的项目使边浅蓝色，那么勾选对应方向下方的“按关系定义增量”进入“编辑”即可以进入关系界面输入关系式，方向2亦是同理。对于阵列界面的“关系”中的关系式的自变量和因变量有严格的控制，系统只识别自变量idx1﹑idx2，因变量memb_v﹑memb_i﹑lead_v﹑leader（关系式的左边只能为这几个因变量，而且memb_v﹑memb_i不能在同一个关系界面出现）。

对于idx1﹑idx2称为两个方向上各自的索引，例如在第一方向上阵列个数为6个，那么对应的阵列原始特征在第一方向的索引idx1等于0，阵列的第二个特征在第一方向上的索引值idx1等于1，第六个特征在第一方向上的索引idx1等于5，若在第一个方向上阵列n个特征，第n个阵列特征在第一方向的索引idx1等于n-1。可见索引是一个变化值，它与该方向上阵列的第几个特征有关系。通过索引idx1﹑idx2作为阵列特征的自变量，就可以控制每个阵列子特征的几何尺寸以及位置的变化。

对于memb_v﹑memb_i，memb_v表示阵列特征的该方向参数的终值（是一个绝对值），而memb_i则是表示该方向上某个阵列特征尺寸相对于上一个尺寸的的增量（是一个相对值），而lead_v则表示阵列原始特征的某个已经固定的尺寸（但是可以控制其变化）。

我们来举上图中的实例来解释着几个阵列特殊参数。上图中第一方向上选择原始圆柱的边界距（上图红色20），我们进入关系定义，如果我想让阵列出来的特征在第一方向上的距离为50，我有两种选择：

第一种为输入每个特征边界距离的终值：memb_v=lead_v+idx1*50（lead=20，我们可以算一下对于原始特征，idx1=0则边界距memb_v等于20。第二个特征idx1=1，边界距等于70.第三个idx1=2，memb_v等于120.即阵列的每行间距为50）

第二种输入每个阵列特征相对于上一个阵列特征的相对值：memb_i=50 这两种方法输入得到相同结果。

我们来综合利用尺寸阵列的两个方向上的参数控制得到一个复杂的阵列，最终效果图如下面两幅图：我们想得到如图6行6列的阵列，要求第1﹑3﹑5行的圆柱高度为60，第2﹑4﹑6行的圆柱高度为120。并且行距呈30递增（例如2﹑3行间的行距比1﹑2行间的行距大30），满足以上要求外还要求奇数行和偶数行的位置错开40（例如第1列1﹑3﹑5行的圆柱与第1列2﹑4﹑6行的圆柱错开40）.下面我们来进入阵列

进入阵列“尺寸阵列”，我们可以看到原始几何有四个默认的几何尺寸：两个方向上的边界距﹑直径﹑高度。根据上面要求我们至少知道四个几何中的三个尺寸是需要控制的：两个边

界尺寸（控制行距或者终值）﹑高度。

首先我们控制第一方向上的行距的递增变化，选择边界尺寸，勾选“按关系定义增量”进入关系，输入memb_i=idx1*30 （由于行距递增，我们用memb_i来定义相对值很方便）。当然我们也可以输入绝对值Memb_v=lead_v+[(idx1+1)^2+(idx1+1)]*15（这个式子可以用数学总结法得到，下面演示一下）

第1﹑2行行距30，第2行（idx1=1）绝对边界距memb_v=lead_v+30 第2﹑3行行距60，第3行（idx1=2）绝对边界距memb_v=lead_v+60+30 第3﹑4行行距90，第4行（idx1=3）绝对边界距memb_v=lead_v+90+60+30

第n-1﹑n行行距(n-1)*30，第n行（idx1=n-1）绝对边界距memb_v=lead_v+(n-1)*30+(n-2)*30?1*30将memb_v=lead_v+(n-1)*30+(n-2)*30?1*30化简得到memb_v=lead_v（n^2-n）*15,将idx1=n-1带入 式中，有：memb_v=lead_v+[(idx1+1)^2-(idx1+1)]*15

然后我们来控制圆柱间隔行高度的变化，点击第一方向的高度参数使变浅绿色，在下面勾选“按关系增量定义”进入关系界面编辑一个简单的程序if语句：

If（floor（idx1/2）==idx1/2） 注释：floor（idx1/2）求不大于idx1/2的最大整数 Memb_v=60 Else

Memb_v=120 Endif

该程序段的意思是：如果floor（idx1/2）等于idx1/2成立则高度取绝对数值60，如多不成立高度取绝对数值120.我们举例算一下，对于第一行中idx1=0,floor（idx1/2）=0等于idx1/2=0成立，所以高度为60（阵列原始特征除外，原始几何不再阵列子项目中,不受关系控制）；第二行，idx2=1，则floor（idx1/2）=0等于idx1/2=0.5不成立，高度取120；第三行idx1=2，floor（idx1/2）=1等于idx1/2=1成立，高度取60??

最后我们定义第二方向上的边界距，使奇数行和偶数行的位置错开40，我们同样适用一个简单的程序语句if语句来控制关系，关系式如下：

if(floor(idx1/2)==idx1/2)

注释：我们可以看到该程序语句中同时出现了 memb_v=lead_v+idx2*50

idx1和idx2，这是通过idx1的变化来控制idx2 else

的变化，因为我们要求得到的结果隔行错开，我 memb_v=lead_v+idx2*50+25

们利用一个判断语句来得到两个第二方向上的 Endif

边界距。

我们来分析一下上面的式子，通过上面的式子我们可以看出每列间的间距是相同的为50（idx2*50可以知道列间距为50），我们可以看到当idx=1﹑3﹑5时，取memb_v=lead_v+idx2*50；当idx1=2﹑4﹑6时，memb_v=lead_v+idx2*50+25。第一行第一列圆柱在第二方向的边界距为20，第二行第一列的第二方向的边界距为45，同理第三行第一列为20，第四行第一列为45.即达到了隔行错开25的要求。阵列图如下：

完成上面组阵列后，得到下列效果

对于阵列我们也必须注意原始几何的性质和阵列出来的子项目的联系，阵列一般有跟随的性质。下面的例子来说明一下，如果我们想在一块斜坡板状特征上创建一个竖直方向的阵列，显然我们想一次阵列得到都与斜坡板均相融合的子项目，如果我们在创建原始拉伸圆柱是选择“拉伸到下一截面”选择上坡面为参照面，会得到下图右边的阵列，我们可以看到阵列的子特征显然没有达到我们想要的效果，与斜坡面发生脱离。 < …… 此处隐藏：4194字，全部文档内容请下载后查看。喜欢就下载吧 ……