福州大学集成电路版图设计实验报告(2)

《集成电路版图设计》实践报告

LVS检测：

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《集成电路版图设计》实践报告

II.CMOS差分放大器部分：

CMOS差分放大器的原理图：

在该电路中，M1、M2为有源负载，M3、M4为电流源，M5为电流源器件。 ①线宽、电流分析：

该电路为CMOS差分共源放大器，电路所需要的最大电流为5mA，根据典型工艺电流密度得出连线的宽度为5um。其中电源、地和偏置为大电流路径，输入端为小电流路径，因此输入线宽为2um，电源、地线宽为10um。对于大电流路径可以让电流源从顶端流入以分散电流，并有效降低电阻。

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③匹配规则分析：

在设计版图的过程中，应该把匹配器件相互靠近放置，使期间保持同一方向，并选择一个中间值作为根部件。由于该电路是差分放大电路，因此应使得差分布线一致并尽量使得每一个器件对称。

在本次版图设计中使用的器件宽度较大，对于M3、M4L= 1uW=100u

并将每个器件分成9块每一个的W为11.11u，以使得电路的对称性较好，同时对于电流镜M3与M4，采用共心—四方交叉的匹配方式，使其对称性更好：

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《集成电路版图设计》实践报告

在画版图的过程中还应该注意差分布线的一致性，以便提高电路的对称性

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④器件布局及其他注意事项：

根据对称性的要求，将电流源M5进行器件分割，M3、M4采用共心交叉匹配法，得到整个版图器件布局图：

在PMOS器件上需要添加N阱接触，而对于NMOS则应添加衬底接触，并且在添加N阱衬底时可将PMOS与NMOS包围，以保证衬底很好的接地并且具有一定的隔离作用

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