微电子工艺2011试卷 - - 张建国 - 答案(2)
来源:网络收集
时间:2026-08-22
导读:
学院 姓名 学号 任课老师 考场教室__________选课号/座位号 ………密………封………线………以………内………答………题………无………效…… ∴ NSi=(2.3/28) ×6.02×1023=4.9449×1022/ cm3 答:注入前单晶Si中S
学院 姓名 学号 任课老师 考场教室__________选课号/座位号
………密………封………线………以………内………答………题………无………效……
∴ NSi=(2.3/28) ×6.02×1023=4.9449×1022/ cm3
答:注入前单晶Si中Si原子的体密度为4.9449×1022/ cm3。
(b) ∵要通过O离子注入形成SiO2埋层,O原子体密度应该为Si原子体密度的2倍 ∴ NO=4.9449×1022×2=9.8898×1022/cm3
答:要形成SOI材料,注入O原子的体密度NO为9.8898×1022/cm3。 (c) ∵剂量=注入原子的面密度,而面密度=体密度×厚度 ∴ 注入剂量Q= NO×100×10-7=9.8898×1017/cm2
∵剂量Q?It enAQenA9.8898?1017?1.6?10?19?1?30?30??0.039559A?39.559mA ∴I?t60?60答:所需要的注入束流是39.559 mA。
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