1章 常用半导体器件题解(2)

图P1.14

解：答案如解图P1.14所示。

解图P1.14

1.15测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.15所示。在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。

图P1.15

解：晶体管三个极分别为上、中、下管脚，答案如解表P1.15所示。 解表P1.15

管号 上 中 下 管型 材料 T1 e b c PNP Si T2 c b e NPN Si T3 e b c NPN Si T4 b e c PNP Ge T5 c e b PNP Ge T6 b e c NPN Ge 1.16 电路如图P1.16所示，晶体管导通时UBE＝0.7V，β=50。试分析VBB为0V、1V、1.5V三种情况下T的工作状态及输出电压uO的值。 解：（1）当VBB＝0时，T截止，uO＝12V。 （2）当VBB＝1V时，因为 IBQ?

VBB?UBEQRb?60μA

ICQ?? IBQ?3mAuO?VCC?ICQRC?9V

所以T处于放大状态。

第一章题解－6

（3）当VBB＝3V时，因为IBQ?

ICQ?? IBQ?8mAuO?VCC?ICQRC＜UBEVBB?UBEQRb?160μA 图P1.16

所以T处于饱和状态。

1.17 电路如图P1.17所示，试问β大于多少时晶体管饱和？

解：取UCES＝UBE，若管子饱和，则

??VCC?UBERb?VCC?UBERC

Rb?? RC所以，??

RbRC?100时，管子饱和。 图P1.17

1.18 电路如图P1.18所示，晶体管的β＝50，|UBE|＝0.2V，饱和管压降|UCES|＝0.1V；稳压管的稳定电压UZ＝5V，正向导通电压UD＝0.5V。试问：当uI＝0V时uO＝？当uI＝－5V时uO＝？

解：当uI＝0时，晶体管截止，稳压管击穿，uO＝－UZ＝－5V。 当uI＝－5V时，晶体管饱和，uO＝0.1V。因为

IB?uI?UBERb?480μA

IC??IB?24mA UEC?VCC?ICRC＜VCC

图P1.18 1.19 分别判断图P1.19所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。

第一章题解－7

图P1.19

解：（a）可能（b）可能（c）不能（d）不能，T的发射结会因电流过大而损坏。（e）可能 1.21 已知放大电路中一只N沟道场效应管三个极①、②、③的电位分别为4V、8V、12V，管子工作在恒流区。试判断它可能是哪种管子（结型管、MOS管、增强型、耗尽型），并说明 ①、②、③与G、S、D的对应关系。

解：管子可能是增强型管、耗尽型管和结型管，三个极①、②、③与G、S、D的对应关系如解图P1.21所示。 解图P1.21

1.23 电路如图1.23所示，T的输出特性如图P1.22所示，分析当uI＝4V、8V、12V三种情况下场效应管分别工作在什么区域。

图P1.22 图P1.23

解：根据图P1.22所示T的输出特性可知，其开启电压为5V，根据图P1.23所示电路可知所以uGS＝uI。

当uI＝4V时，uGS小于开启电压，故T截止。

当uI＝8V时，设T工作在恒流区，根据输出特性可知iD≈0.6mA，管压降uDS≈VDD－iDRd≈10V 因此，uGD＝uGS－uDS≈－2V，小于开启电压，说明假设成立，即T工作在恒流区。 当uI＝12V时，由于VDD ＝12V，必然使T工作在可变电阻区。

1.24 分别判断图P1.24所示各电路中的场效应管是否有可能工作在恒流区。

图P1.24

解：（a）可能 （b）不能 （c）不能 （d）可能

第一章题解－8