安徽大学电子信息工程学院2014年招收硕士研究生 - 图文

安徽大学电子信息工程学院2014年招收硕士研究生

导师资格申请表

一、申请人基本信息 姓名 学历 学位 柏娜 博士 博士 性别 职称 毕业学校 超低能耗SOC、高性研究方向 能存储器等 拟招生所属二级学科 拟招生所属一级学科

二、主持或参加科研项目

项目名称 高密度高可靠性亚阈值静态存储器的理论研究 超低能耗SRAM编译器关键技术研究 高可靠超低能耗SRAM关键技术研究 高实时性与高工艺偏差容忍度的超低能耗SRAM关键技术研究 低功耗高密度SRAM单元建库及编译器设计 嵌入式CPU SRAM编译器设计关键技术研究 项目类别 二类 二类 三类 起止年月 2013.1-2015.12 2012.4-2013.4 2013.1-2015.1 已到帐经费 本人排名 16.8万 50万 5万 排名第一 排名第一 排名第一 微电子与固体电子学 电子科学与技术 身体状况 健康 女 出生日期 1977.01.29 2011.8 副教授 受聘时间 东南大学 三类 2011.8-2013.6 1万 排名第一 技术总 一类 2011.1-2012.12 408万 负责 技术总 一类 2010.1-2012.6 1042万 负责

三、科研成果

（一）论文（级别填写SCI、EI） 论文题目 发表刊物名称（年、卷、期） 级别 SCI EI EI EI Chinese Journal of A Robust High Density 7T SRAM Electronics, vol.20, pp. Bitcell for Subthreshold Applications 243-246, 2011 A 200 mV Low Leakage Current Journal of Semiconductors, Subthreshold SRAM Bitcell in vol 33, n6, june 2012 130nm CMOS Process Applied Mechanics and A High Robust SRAM Bit-cell under Materials, vol 121-126, pp. Optimum-Energy Supply Voltage 1332-1337, 2012 Ring Oscillator Phase Noise Advanced Materials Properties due to PSN with Research, vol.496, p Deterministic Frequency 527-533, 2012 Journal of Convergence A PVT-Compensation Scheme for Information Technology, Subthreshold SRAM volume 7,number 17, p124-132, sep 30, 2012 Analysis of ADPLL Jitter Due to the Journal of Computational Power Supply Noise with Information Systems（已收Deterministic Frequency 录） An ultra Low Supply Voltage Ultra Low Power Subthreshold SRAM 《东南大学学报》已收录 Bitcell Design A Robust High Density 7T Applied Mechanics and Subthreshold SRAM Bitcell with Materials, vol 121-126, pp. Partial Dynamic Threshold Voltage 1279-1285, 2012 Connection Scheme Applied Mechanics and A Robust SRAM Design for Ultra Materials, v 182-183, Dynamic Voltage Scalable VLSI pp.450-455, 2012, Applied System Mechanics and Mechatronics Automation A Circuit for Robustness Advanced Materials Enhancement of the Subthreshold Research vols. 542-543, SRAM Bitcell in 65nm Technology pp.1001-1006 2012 International Journal of Research of High-speed Image and Digital Content Technology Number’s Recognition System Based and its Applications on FPGA Volume6, Number19, P239-245, October 2012 EI EI源刊 EI源刊 EI EI EI EI An Offset Reduction Technique for Latch type Sense Amplifier in High Performance and High Density SRAM A 16Kb SRAM with Programmable Replica Bitlines for Dynamic Voltage Scaling Systems

（二）专著

著作名称

（三）发明专利

专利项目名称 Advanced Materials Research, v 542-543, p EI 769-774, 2012 Advanced Materials Research, v 542-543, p EI 416-422, 2012 出版社名称、出版时间 字 数（万字） 专利批准号 本人排名 Sub-Threshold Memory Cell Circuit With High Density And High Robustness Sub-Threshold Memory Cell Circuit With High Density And High Robustness Capacity And Density Enhancement Circuit For Sub-Threshold Memory Unit Array 用以增强存储器单元阵列容量和密度的亚阈值敏感放大电路 限漏流的高鲁棒亚阈值存储单元电路 用于亚阈值存储单元阵列的位线漏电流补偿电路 一种高密度、高鲁棒性的亚阈值存储电路接口电路 一种高密度，高鲁棒的亚阈值存储单元电路 一种亚阈值存储单元阵列的容量和密度增强电路 一种亚阈值锁存器 日本授权专利 2 100089196 韩国授权专利 2 1-1-2011-0757870-11 美国授权专利 13322114 中国授权专利 ZL 200910213431.5 中国授权专利 ZL200910213433.4 中国授权专利 ZL200910213432.X 中国授权专利 ZL201010622696.3 中国授权专利 ZL200910183605.8 中国授权专利 ZL200910183606.28 中国授权专利 ZL201010622695.9 2 1 1 1 1 2 2 2

（四）科研成果奖（奖励类别填写国家级、省部级） 成果名称

四、审核意见 学科负责人意见 签字： 年 月 日 研究生院意见

奖励类别 获奖等级 本人排名 培养单位审核意见 负责人签字： （公章） 年 月 日 负责人签字：（公章） 年 月 日