模拟电子技术基础中的常用公式必备

模拟电子技术基础中的常用公式

模拟电子技术基础中的常用公式

第7章 半导体器件

主要内容：半导体基本知识、半导体二极管、二极管的应用、特殊二极管、双极型晶体管、晶闸管。

重点：半导体二极管、二极管的应用、双极型晶体管。 难点：双极型晶体管。

教学目标：掌握半导体二极管、二极管的应用、双极型晶体管。了解特殊二极管、晶闸管。 第8章 基本放大电路

主要内容：放大电路的工作原理、放大电路的静态分析、共射放大电路、共集放大电路。

重点：放大电路的工作原理、共射放大电路。 难点：放大电路的工作原理。

教学目标：掌握 放大电路的工作原理、共射放大电路。理解 放大电路的静态分析。了解共集放大电路。 第9章 集成运算放大器

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电子技术基础知识点

主要内容：运算放大器的简单介绍、放大电路中的反馈、基本运算电路。

重点：基本运算电路。 难点：放大电路中的反馈。

教学目标：掌握运算放大器在信号运算与信号处理方面的应用。了解运算放大器的简单介绍、放大电路中的反馈。 第10章 直流稳压电源

主要内容：直流稳压电源的组成、整流电路、滤波电路、稳压电路。

重点和难点：整流电路、滤波电路、稳压电路。

教学目标：掌握直流电源的组成。理解整流、滤波、稳压电路。 第11章 组合逻辑电路

主要内容：集成基本门电路、集成复合门电路、组合逻辑电路的分析、组合逻辑电路的设计、编码器、译码器与数码显示。

重点：集成复合门电路、组合逻辑电路的分析。 难点：组合逻辑电路的设计。

教学目标：掌握集成复合门电路、组合逻辑电路的分析。了解组合逻辑电路的设计、编码器、译码器与数码显示。

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模拟电子技术基础中的常用公式

第12章 时序逻辑电路

主要内容：双稳态触发器、寄存器、计数器。

重点：双稳态触发器。 难点：寄存器、计数器。 教学目标：掌握双稳态触发器。了解寄存器、计数器。

GS0101 由理论分析可知，二极管的伏安特性可近似用下面的数学表达式来表示： iD

IR(sat)(e

uD

VT

1)

式中，iD为流过二极管的电流，uD。为加在二极管两端的电压，VT称为温度的电压当量，与热力学温度成正比，表示为VT = kT/q其中T为热力学温度，单位是K；q是电子的电荷量，q=1.602×10C；k为玻耳兹曼常数，k = 1.381×10J／K。室温下，可求得VT = 26mV。IR(sat)是二极管的反向饱和电流。

GS0102 直流等效电阻RD

直流电阻定义为加在二极管两端的直流电压UD与流过二极管的直流电流ID之比，即

-23

-19

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电子技术基础知识点

RD

UDID

RD的大小与二极管的工作点有关。通常用万用表测出来的二极管电阻即直流电阻。不过应注意的是，使用不同的欧姆档测出来的直流等效电阻不同。其原因是二极管工作点的位置不同。一般二极管的正向直流电阻在几十欧姆到几千欧姆之间，反向直流电阻在几十千欧姆到几百千欧姆之间。正反向直流电阻差距越大，二极管的单向导电性能越好。

GS0103 交流等效电阻rd

rd (

duD

)Q diD

rd亦随工作点而变化，是非线性电阻。通常，二极管的交流正向电阻在几～几十欧姆之间。

需要指出的是，由于制造工艺的限制，即使是同类型号的二极管，其参数的分散性很大。通常半导体手册上给出的参数都是在一定测试条件下测出的，使用时应注意条件。 GS0104 IZmin＜Iz＜IZmax

其中稳定电流IZ是指稳压管正常工作时的参考电流。IZ 通常在最小稳定电流IZmin与最大稳定电流IZmax之间。其中IZmin 是指稳压管开始起稳压作用时的最小电流，电流低于此值时，稳压效果差；IZmax

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是指稳压管稳定工作时的最大允许电流，超过此电流时，只要超过额定功耗，稳压管将发生永久性击穿。故一般要求IZmin＜Iz＜IZmax 。

GS0105 IC = INC + ICBO ≈ INC

GS0106 IB = IPB + IPE - ICBO ≈IPB - ICBO GS0107 IE＝INE＋IPE ≈INE GS0108 INE ＝ INC ＋IPB GS0109 IE ＝IC ＋ IB GS0110 GS0111 GS0112 GS0113

INCIC ICBO

IPBIB ICBOICIB

IC B (1 )I

ICBICEOGS0114 IE (1 )IB ICEO GS0115 GS0116

INCIE

IC ICBOIC

IEIE

GS017 IC E ICBO GS0118

IB (1 )IE ICBO

GS0119

INCINCINCINC IE(1 )IB ICEO(1 )IB(1 )IPB1

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电子技术基础知识点

GS0120 IB f(UBE)|UGS0121 GS0122 GS0123

CE C

(C表示常数)

表示常数)

IC f(UCE)|IB C (C

ICIB

IC

|U IBCE

IC

|UCB IE

GS0124 GS0125

ICEO (1 )ICBO

GS0126 PCM ＝ICUCE GS0127 VP称为夹断电压。

ID IDSS(1

UGS2

IDSS是UGS＝0时的漏极饱和电流，)，VP

7.2 基本放大电路

GS0201 IB

E

C UBE Rb

GS0202 IC IB ICEO IB GS0203 UCE EC ICRC

基本放大电路(固定偏置电路)静态工作点求解公

式。

GS0204 Au

UO

Ui

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GS0205 Ai GS0206 GS0207

Ap

IoIi

PoUoIo

AuAi PiUiIi

UO

20lgAu(dB) Ui

Au(dB) 20lg

GS0208 Ai(dB) 20lgGS0209 Ap(dB) 10lgGS0210 riGS0211 ro

UoIo

Io

20lgAi(dB) Ii

Po

10lgA

p(dB)

'

(RLGS0214 uce icRL RcRL)

GS0218 为了避免瞬时工作点进入截止区而引起截止失真，则应使：Ic ICM ICEO

GS0219 为了避免瞬时工作点进入饱和区而引起饱和失真，则应使：UCE UOM UCES

GS0220 rbe rbb (1 )26(mV)

'

IE(mA)

式中 rbb表示晶体管基区的体电阻，对于一般的小功率管约为

'

300Ω左右(计算时，若未给出，可取为300Ω)，IE为通过管于发射极的静态电流，单位是mA。在IE ≤5mA范围内，式GS0220计算结果与实际测量值基本一致。

GS0221 UB

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Rb2

EC

Rb1 Rb2

电子技术基础知识点

分压式直流电流负反馈放大电路，分压点电压UB计算公式。 GS0222 Rb2 UB/IR Rb1 (EC UB)IR Re UEIE UBIE 偏置电路元件参数的计算。

由图I0286所示电路的直流通路可得： GS0223 UGS UG US IDRS

GS0224

SGS0225 ID IDSS(1

UGS2

)，((VP UGS 0) VP

结型场效应管的转移特性。式中IDSS为饱和漏电流，VP为夹断电压。联立求解GS0231～GS0233各式，便可求得静态工作点Q(ID，UGS，UDS)。

GS0226 UGS

R2

VDD IDRs R1 R2

结型场效应管分压式偏置电路，栅源回路直流负载线方程。

Au GS0227

UoUo1Uo2Uo< …… 此处隐藏：4912字，全部文档内容请下载后查看。喜欢就下载吧 ……